一种高性能X波段介质振荡器

作     者：毕克允 王晓钧 杨晓光 

作者机构：电子科学研究院北京100846 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2000年第25卷第6期

页      码：30-32页

摘      要：详细介绍了Ｘ波段介质振荡器（ＤＲＯ）的设计方法、实验过程和测试结果。此种高性能ＤＲＯ在控制相位噪声等方面取得一定成绩。

主 题 词：介质振荡器 X波段 相位噪声 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2000.06.008

馆 藏 号：203108866...