一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件

作     者：侯佳力 胡毅 贺俊敏 王源 HOU Jiali;HU Yi;HE Junmin;WANG Yuan

作者机构：北京智芯微电子科技有限公司北京100192 北京大学集成电路学院北京100871 北京大学微电子器件与电路教育部重点实验室北京100871 

基　　金：国家电网有限公司总部管理科技项目资助(5100-201941436A-0-0-00) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2022年第52卷第1期

页      码：91-97页

摘      要：针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构。相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件,MEWSCR结构实现了二次触发,增加了维持电压;其次,通过在阳极P+区和阴极N+区下方分别嵌入N浅阱和P浅阱,增强非平衡载流子的SRH复合作用,降低SCR的再生反馈效应,提高了维持电流。基于0.18μm BCD工艺,采用TCAD软件进行模拟。结果表明,新型MEWSCR器件的维持电压提升至23 V,维持电流提升1 A以上,满足ESD设计窗口要求。

主 题 词：静电放电 硅控整流器 维持电压 闩锁 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.210312

馆 藏 号：203108872...