薄膜有机集成电容的制作工艺

作     者：张健 王春富 王贵华 王文博 李彦睿 秦跃利 ZHANG Jian;WANG Chunfu;WANG Guihua;WANG Wenbo;LI Yanrui;QIN Yueli

作者机构：中国电子科技集团公司第二十九研究所四川成都610036 

出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期：2022年第43卷第2期

页      码：71-73,80页

摘      要：以PI-5型聚酰亚胺(PI)电子涂料为介质层,在99瓷氧化铝陶瓷基片表面通过磁控溅射、光刻、电镀、蚀刻等传统薄膜电路工艺制作有机集成电容。分别研究了PI旋涂转速、旋涂时间、热处理制程等参数对PI厚度和均匀性的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到厚度与设计值相符的PI膜层,且膜厚均匀性优于±5%,有机电容的容值精度优于±5%。PI有机电容与薄膜及半导体电路工艺高度兼容,在集成无源器件(IPD)制造中有着广阔的应用前景,有利于新一代系统的微型化、多功能和高密度集成。

主 题 词：聚酰亚胺(PI) 有机电容 薄膜电路 集成无源器件(IPD) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14176/j.issn.1001-3474.2022.02.003

馆 藏 号：203108984...