高性能高可靠性SiC MOSFET的关键设计与优化

作     者：崔京京 

作者机构：不详 

出 版 物：《变频器世界》 (The World of Inverters)

年 卷 期：2022年第2期

页      码：30-32页

摘      要：1引言近年内,碳化硅功率器件已逐渐成为高压、高频及高效率应用场合需求的首选。性能、可靠性和成本是决定功率器件商业化进程的三个重要维度,此三者一般互为矛盾关系。但回顾SiC MOSFET器件的技术发展历程可以发现,通过优化制造工艺和器件设计,不仅带来性能和可靠性的提升,也降低了单颗芯片成本,技术发展成为推动SiC MOSFET商业化进程的重要源动力。

主 题 词：MOSFET器件 芯片成本 碳化硅功率器件 器件设计 商业化进程 制造工艺 技术发展历程 高可靠性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203109235...