以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究

作     者：魏榕山 邓宁 王民生 张爽 陈培毅 刘理天 张璟 WEI Rong-shan;DENG Ning;WANG Min-sheng;ZHANG Shuang;CHEN Pei-yi;LIU Li-tian;ZHANG Jing

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 英国帝国理工学院Blackett实验室 

基　　金：国家自然科学基金重点基金资助(69836020) 教育部985基金资助(JZ2001010) 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：2006年第19卷第5A期

页      码：1771-1774页

摘      要：设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.

主 题 词：增透膜 气态源分子束外延 量子点 量子点红外探测器 暗电流密度 响应度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.122

馆 藏 号：203109252...