SiC陶瓷磨削机理与表面质量研究

作     者：周云光 李红阳 田川川 毕长波 ZHOU Yun-guang;LI Hong-yang;TIAN Chuan-chuan;BI Chang-bo

作者机构：东北大学机械工程与自动化学院沈阳110819 

基　　金：国家自然科学基金(51905083,51975113) 河北省自然科学基金(E2019501094) 中央高校基本科研业务专项资金(N2123025) 中国博士后基金(2021MD703913) 

出 版 物：《组合机床与自动化加工技术》 (Modular Machine Tool & Automatic Manufacturing Technique)

年 卷 期：2022年第3期

页      码：156-160页

摘      要：为了研究SiC陶瓷在磨削过程中的去除机理和表面质量,设计了SiC陶瓷的平面磨削试验。采用电镀金刚石砂轮完成单因素和正交试验,通过对试验结果进行极差分析,考察了不同磨削参数对表面质量的影响规律,并进一步分析了材料的去除机理。实验结果表明,随着磨削深度a_(p)和进给速度v_(w)的增大,表面粗糙度呈现增大的趋势,材料表面平整度下降,表面质量降低;砂轮转速n_(s)增加时,表面粗糙度减小,缺陷区域减少,表面质量提高;其中磨削深度对表面质量的影响最大,砂轮转速次之,进给速度对表面质量的影响最小;磨削加工过程中SiC材料去除主要为脆性断裂,同时还伴随着塑性变形。

主 题 词：SiC陶瓷 磨削去除机理 表面质量 表面粗糙度 正交试验 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

D　O　I：10.13462/j.cnki.mmtamt.2022.03.038

馆 藏 号：203109267...