化学机械抛光中的颗粒技术

作     者：Kalyan S. Gokhale Brij M. Moudgil 涂佃柳（译） 刘晓斌（译） 

作者机构：Department of Materials Science and Engineering and Particle Engineering Research Center University of Florida北京101601 中国电子科技集团公司第四十五研究所 

基　　金：佛罗里达大学微粒研究中心 国家科学基金EEC-94-02989 国家卫生研究所基金P20RR020654 微粒研究中心的合作伙伴的资助 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：2011年第40卷第2期

页      码：1-7页

摘      要：多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光。除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响。如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果。本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展。

主 题 词：CMP 多层金属化 研磨颗粒 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-4507.2011.02.001

馆 藏 号：203109393...