一款700V功率场效应管失效分析与改进

作     者：汪德波 冯全源 陈晓培 WANG Debo;FENG Quanyuan;CHEN Xiaopei

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都610031 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61271090) 国家高技术研究发展计划"863计划"重大项目资助(No.2012AA012305) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2014年第33卷第12期

页      码：82-85页

摘      要：对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。

主 题 词：功率场效应管 失效分析 可靠性 终端结构 击穿电压 芯片面积 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.021

馆 藏 号：203109403...