低功耗有源UHF-RFID标签芯片射频前端的设计

作     者：罗世钦 孙玲玲 洪慧 章少杰 LUO Shiqin;SUN Lingling;HONG Hui;ZHANG Shaojie

作者机构：杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 

基　　金：浙江省重大科技项目资助(2006C11106) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2009年第32卷第6期

页      码：1031-1034页

摘      要：采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的超高频有源RFID标签芯片射频接收前端电路。其中,低噪声放大器(LNA)采用共源共栅源极电感负反馈差分结构,下变频混频器(Mixer)采用吉尔伯特(Gilbert)有源双平衡结构。通过整体及模块电路优化,该电路在较低功耗下仍然具有较好性能。仿真结果表明,整个接收端功耗仅为14 mW,与传统射频前端芯片相比,功耗降低53%;整体增益为21.6 dB,噪声系数7.1 dB,三阶输入截止点-18.9 dBm,满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需求。

主 题 词：超高频 有源射频识别 低噪声放大器 混频器 接收前端 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.010

馆 藏 号：203109404...