相变存储器多态存储方法

作     者：刘欣 周鹏 林殷茵 汤庭鳌 赖云峰 乔保卫 冯洁 蔡炳初 BOMY CHEN LIU Xin;ZHOU Peng;LIN Yin-yin;TANG Ting-ao;LAI Yun-feng;QIAO Bao-wei;FENG Jie;CAI Bing-cu;Bomy Chen

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 Silicon Storage Technology Inc.1171 Sonora CourtSunnyvaleCA 94086USA 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60206005 60373017 60676007) 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2008年第47卷第1期

页      码：95-100页

摘      要：提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.

主 题 词：微电子技术 相变存储器 多值存储 多值存储单元 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2008.01.018

馆 藏 号：203109407...