串联IGBT阀体静态均压分析与自取能参数设计

作     者：李卫国 房萍 蔚泉清 LI Wei-guo;FANG Ping;WEI Quan-qing

作者机构：国网智能电网研究院北京102206 北京四方继保自动化股份有限公司北京100192 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2015年第49卷第8期

页      码：69-72页

摘      要：基于压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的串联型电压源换流器具有结构紧凑、控制保护简单等诸多优点,因此该电压源换流器应用广泛,驱动保护控制是压接型IGBT串联应用中最核心的技术。驱动保护控制电路通过何种方式获得电能是实现驱动保护技术必须要考虑的问题之一。由于压接型IGBT串联应用的主要优势领域为高压柔性直流输电,所以只有高电位自取能方式是可行的。此处首先提出在串联的压接型IGBT上独立实现高电位自取能,其次通过实验波形分析研究高位自取能对串联IGBT阀端电压静态平衡的影响机理,最后提出高电位自取能方案所要满足的技术指标以及关键技术参数设计方法,为串联IGBT驱动保护电路如何实现稳定的供电提供理论基础。

主 题 词：绝缘栅双极晶体管 串联 高电位自取能 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2015.08.021

馆 藏 号：203109409...