看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >Fairchild推出800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列 收藏
Fairchild推出800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列

Fairchild推出800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列

出 版 物:《单片机与嵌入式系统应用》 (Microcontrollers & Embedded Systems)

年 卷 期:2015年第15卷第5期

页      码:20-20页

摘      要:Fairchild推出800VSuperFET II MOSFET系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有极低的导通电阻和输出电容,可以帮助设计师提高高性能解决方案(需要600V/650V以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。极佳的可靠性,加上出色的效率和热特性,使其成为各种应用的理想之选。同时,多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性,在尺寸受限的设计中尤为如此。

主 题 词:Fairchild MOSFET SuperFET 设计师 输出电容 导通电阻 击穿电压 成本效益 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号:203109438...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分