65nm工艺下百万门级芯片的物理设计

作     者：张杰 孙大成 

作者机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2012年第21卷第1期

页      码：31-35页

摘      要：随着集成电路工艺的发展,集成电路后端物理设计变得越来越复杂,遇到了很多新的挑战。本文介绍了一款65nm工艺百万门级芯片的物理设计过程,论述了在布局规划、电源网络规划、时钟树设计、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案,提出了设计方法学上的改进,提高了后端物理设计效率和芯片的良率。

主 题 词：布局规划 电源网络规划 时钟树设计 物理设计 信号完整性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-5289.2012.01.047

馆 藏 号：203109456...