基于BiCMOS工艺的D类功率放大器设计

作     者：朱洲 李冰 肖志强 ZHU Zhou;LI Bing;XIAO Zhi-qiang

作者机构：东南大学IC学院南京210096 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2009年第9卷第5期

页      码：28-30,38页

摘      要：文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构,并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求,开发了基于0.6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。该D类音频放大器,在5V电压下可以以1.4W/Ch的功率驱动阻抗为8的负载。它同样可驱动阻抗为4的负载,5V电压下提供的最大功率为2.1W/Ch。同时还详细描述了前置音频放大器,三角波产生电路、比较器,死区控制电路,输出驱动电路等子模块的设计内容。电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证,经过仿真表明电路设计性能良好,符合设计要求,可广泛应用于便携式电子产品。

主 题 词：D类功率放大器 死区控制 H桥 BiCMOS工艺 多晶发射极 便携式 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2009.05.008

馆 藏 号：203109473...