高性能半静态双边沿D触发器

作     者：王伦耀 夏银水 叶锡恩 Wang Lun-yao;Xia Yin-shui;Ye Xi-en

作者机构：宁波大学信息学院宁波315211 

基　　金：国家自然科学基金(60273093) 国家自然科学基金国际重点合作项目(60311130191) 浙江省教育厅科研项目(20051732)资助课题 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2006年第28卷第11期

页      码：2186-2190页

摘      要：在分析现有静态结构双边沿触发器和动态结构双边沿触发器优缺点的基础上,该文提出了半静态结构双边沿触发器设计。PSPICE模拟表明,新设计功能正确。与以往一些设计相比,新设计在功耗、速度、功耗延迟积以及减少MOS晶体管使用数目等方面都具有明显的优势,从而使新设计具有良好的综合性能。该文的另一个贡献是对双边沿触发器性能的测试方法进行了探讨,提出了测试双边沿触发器最高频率的新方法。

主 题 词：集成电路 半静态 D触发器 低功耗 双边沿触发器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203109510...