基于遗忘效应忆阻器的LIF神经元电路研究

作     者：杨宁宁 王达 吴朝俊 YANG Ningning;WANG Da;WU Chaojun

作者机构：西安理工大学电气工程学院陕西西安710048 西安工程大学电子信息学院陕西西安710048 

基　　金：国家自然科学基金(51507134) 陕西省自然科学基础研究计划一般项目(面上)(2021JM-449)(2018JM5068) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2022年第41卷第3期

页      码：323-330页

摘      要：细胞神经网络(CNN)被公认为是一种强大的大规模并行网络架构,能够高速执行运算操作和解决复杂的工程问题,但是目前关于硬件实现神经元的研究处于起步阶段。首先,研究了一个基于SrTiO_(3)(STO)的忆阻仿真模型,并分析了该模型的阻值变化特性与磁滞回线。其次,在此基础上设计了基于忆阻器的LIF神经元电路,验证了忆阻器模型可很好地结合到该神经元电路中。最后,通过PSpice仿真实验分析了突触前神经元、突触权重以及输入信号频率对于膜电位的影响,验证了基于遗忘模型忆阻器构成的LIF神经元电路可实现对输入时间信息和空间信息的整体反应。

主 题 词：忆阻器 PSpice建模 LIF神经元 忆阻神经元 忆阻神经网络 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 081104[081104] 08[工学] 0835[0835] 0811[工学-水利类] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1628

馆 藏 号：203109524...