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基于TiO_(2)修饰层的量子点发光二极管设计及其性能

基于TiO_(2)修饰层的量子点发光二极管设计及其性能

作     者:刘卫卫 孔佑超 陈小波 胡小艳 苗中正 LIU Wei-wei;KONG You-chao;CHEN Xiao-bo;HU Xiao-yan;MIAO Zhong-zheng

作者机构:盐城师范学院物理与电子工程学院江苏盐城224007 

基  金:国家自然科学基金青年基金(61504118) 江苏省自然科学基金青年基金(BK20201064) 江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB430040)资助 

出 版 物:《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期:2022年第43卷第3期

页      码:381-387页

摘      要:量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一。由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题。本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)电子传输层和量子点(QDs)发光层之间插入不同厚度的二氧化钛(TiO_(2))薄层,对ZnO和QDs发光层之间的界面进行修饰。发现插入0.270 nm的TiO_(2)后,器件的漏电流降低约一个量级,激子的平均寿命从15.94 ns增加到16.61 ns,说明插入TiO_(2)修饰层可以有效降低QDs发光层中激子猝灭,从而提高器件在低驱动电压下的电流效率(约提高15%)。上述结果有望为QLEDs在照明和显示领域的产业化提供参考。

主 题 词:量子点 发光二极管 二氧化钛 界面修饰 

学科分类:08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.37188/CJL.20220002

馆 藏 号:203109626...

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