高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展(特邀)

作     者：郝宏玥 吴东海 徐应强 王国伟 蒋洞微 牛智川 Hao Hongyue;Wu Donghai;Xu Yingqiang;Wang Guowei;Jiang Dongwei;Niu Zhichuan

作者机构：中国科学院大学半导体研究所北京100083 

基　　金：科技部重点研发计划(2018YFA0209104 2019YFA070104) 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2022年第51卷第3期

页      码：22-31页

摘      要：中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段,在各个领域都有着非常重要的作用。其中,以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。此外,使用光子晶体结构,进行表面光学性能调控,可以提高器件的响应度,从而降低材料吸收区厚度,降低器件暗电流。暗电流的降低和响应度的提升,进一步优化了探测器的性能,进而提高器件工作温度,进一步降低探测系统的体积、重量和功耗。研究表明:使用光子晶体结构可以在不改变外延材料结构的前提下,提高器件量子效率,实现响应光谱的展宽,在实际应用中具有重要的意义。文中综述和讨论了InAs/InAsSb超晶格探测器和光子晶体结构探测器材料生长、结构设计的主要技术问题,详细介绍了两种提高中红外探测器性能的方案及国内外的研究进展。

主 题 词：锑化物 中红外探测技术 高工作温度 InAs/InAsSb二类超晶格 光子晶体 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0703[理学-化学类] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/IRLA20220106

馆 藏 号：203109771...