反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器

作     者：刘莹 方倩 方振贤 Liu Ying;Fang Qian;Fang Zhenxian

作者机构：黑龙江大学电子工程学院哈尔滨150080 同济大学电子与信息工程学院上海201804 

基　　金：黑龙江省高校重点实验室基金(批准号:ZDDZ2006-10) 黑龙江省科技攻关计划(批准号:GC02A121)资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第12期

页      码：2184-2189页

摘      要：经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性.

主 题 词：反馈式ECL记忆门的记忆性能 D锁存器 主从D触发器 5进制移位型计数器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.12.023

馆 藏 号：203110126...