Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

作     者：林桂江 周志文 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 Lin Gui-Jiang;Zhou Zhi-Wen;Lai Hong-Kai;Li Cheng;Chen Song-Yan;Yu Jin-Zhong

作者机构：厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60576001 60336010) 福建省青年科技人才创新基金(批准号:2004J021)资助的课题. 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2007年第56卷第7期

页      码：4137-4142页

摘      要：详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6k.p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.

主 题 词：硅锗材料 量子级联激光器 子带跃迁 k·P方法 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.56.4137

馆 藏 号：203110141...