晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究

作     者：李晶晶 熊瑛 杨保和 张维佳 申研 Li Jingjing;Xiong Ying;Yang Baohe;Zhang Weijia;Shen Yan

作者机构：天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384 天津晶研科技有限公司天津300384 

基　　金：国家自然基金(50972105) 863目标导向类基金(2009AA03Z444) 天津市自然科学基金(09JCZDJC16500) 天津市科技支撑计划重点项目(08ZCKFGX00300) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2010年第35卷第8期

页      码：772-774页

摘      要：采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器。使用ADS软件进行电路图的仿真分析。研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响。分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流。因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区。对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗。

主 题 词：锗硅异质结双极晶体管 跨导电容 滤波器 高频 回转器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.007

馆 藏 号：203110264...