可变磁通永磁记忆电机调磁特性

作     者：刘恒川 林鹤云 黄明明 颜建虎 Liu Hengchuan;Lin Heyun;Huang Mingming;Yan Jianhu

作者机构：东南大学电气工程学院伺服控制技术教育部工程研究中心南京210096 

基　　金：国家自然科学基金(50677007) 江苏省"青蓝工程"资助项目 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2010年第25卷第11期

页      码：42-47,55页

摘      要：建立了可变磁通永磁记忆电机永磁体连续去磁和重新充磁的磁化模型,给出了去磁时的回复线方程和充磁时的局部磁滞回线方程,采用有限元法对电机施加不同定子直轴电流时的磁通分布和永磁体内的磁通密度变化进行了分析,据此计算了电机永磁体在不同磁化状态时的气隙磁通密度、相磁链、相反电动势、每极气隙磁通等参数。文中给出了记忆电机连续去磁与充磁的有限元分析流程。设计制作了一台样机进行了实验验证,实验结果与有限元计算结果吻合较好。有限元计算与实验结果同时表明,记忆电机能实现连续近似线性去磁,但增磁特性呈非线性;永磁体的充磁比去磁困难,饱和充磁电流大约是完全去磁电流的4倍。

主 题 词：可变磁通 记忆电机 永磁体 充磁 去磁 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2010.11.007

馆 藏 号：203110278...