光电耦合器的长期贮存退化特性分析

作     者：杨少华 李坤兰 YANG Shao-hua;LI Kun-lan

作者机构：工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610 

出 版 物：《电子产品可靠性与环境试验》 (Electronic Product Reliability and Environmental Testing)

年 卷 期：2013年第31卷第1期

页      码：27-30页

摘      要：介绍了某光电耦合器在自然条件下的贮存退化特性,长期贮存14年后出现了电流传输比和集电极暗电流等性能参数退化失效。其性能参数退化的原因为内部水汽含量高、胶体开裂。该试验结果对于贮存寿命设计和贮存延寿工程有一定的参考价值。

主 题 词：光电耦合器 贮存 退化 失效机理 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-5468.2013.01.006

馆 藏 号：203110384...