一种适用于3D NAND闪存的分布式功率级LDO设计

作     者：张宁 史维华 王颀 霍宗亮 ZHANG Ning;SHI Weihua;WANG Qi;HUO Zongliang

作者机构：中国科学院大学北京101400 中国科学院微电子研究所北京100029 长江存储科技有限责任公司湖北武汉430000 

基　　金：国家科技重大专项(2017ZX0230002) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2022年第39卷第3期

页      码：94-100页

摘      要：由于3D NAND闪存芯片面积较大,其电源分布网络庞大、复杂,既需要满足多个块(block)并行读写时所需的600 mA峰值电流要求,也需要满足芯片在待机状态下的低功耗要求-针对以上问题,设计了一种为3D NAND闪存芯片进行供电的无片外电容的分布式功率级LDO电路.通过设计Active和Standby两种工作模式下的LDO进行切换以降低系统功耗;采用基于电容的升压电路驱动分布式功率级结构,适应大面积CMOS芯片的供电要求;设计了输出电压检测电路前馈控制输出级以进一步提高环路瞬态响应速度.基于长江存储工艺完成电路设计,仿真结果表明,设计的LDO的负载调整率为0.018mV/mA,带载能力达600 mA.重载600 mA时的下冲电压为0.21V.通过流片、测试验证,设计的电路满足3D NAND闪存芯片的工作要求.

主 题 词：分布式功率级 升压电路 环路瞬态响应速度 3D NAND闪存 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/J.ISSN1000-7180.2021.0959

馆 藏 号：203110452...