用集成驱动器优化GaN性能
作者机构：德州仪器
出 版 物：《今日电子》 (Electronic Products)
年 卷 期：2016年第5期
页 码：28-31页
摘 要：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且简化基于GaN的功率级设计。氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。
主 题 词：开关性能 GaN 开关损耗 开关速度 压摆率 氮化镓 功率级 半桥 降压转换器 电感值
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502]
D O I：10.3969/j.issn.1004-9606.2016.05.004
馆 藏 号：203110530...
