用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数

作     者：金建东 周治平 寇文兵 

作者机构：中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001 美国佐治亚理工学院微电子研究中心亚特兰大30332 

基　　金：国家留学基金管理委员会资助 

出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)

年 卷 期：2003年第22卷第11期

页      码：9-11页

摘      要：在研制多功能集成压力传感器过程中,对关键材料多晶硅来说,制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了沉积温度、反应气体流量和反应室工作压力对多晶硅的沉积速率、晶粒大小和表面粗糙度的影响程度。设计出正交试验,以优化出不同性能要求的多晶硅制备工艺参数。

主 题 词：正交试验 多晶硅 薄膜 制备工艺 压力传感器 集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-9787.2003.11.003

馆 藏 号：203110913...