恒忆(NUMONYX)取得重大设计突破 推出业内首款45nm NOR闪存芯片

作者机构：恒忆公司 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2009年第35卷第3期

页      码：36-36页

摘      要：北京，2009年2月12日讯——恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45nm工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于运行关键的手机操作系统、管理个人数据、存储相片、音乐和视频。

主 题 词：NOR闪存 闪存芯片 存储产品 设计 手机操作系统 多级单元 产品发布 个人数据 

学科分类：080904[080904] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080402[080402] 0804[工学-材料学] 081001[081001] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.2009.03.027

馆 藏 号：203110937...