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具有平坦增益的3.1~10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计

具有平坦增益的3.1~10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计

作     者:杜四春 王春华 张光祥 DU Si-chun;WANG Chun-hua;ZHANG Guang-xiang

作者机构:湖南大学信息科学与工程学院湖南长沙410082 

基  金:湖南省科技计划项目(2010FJ4246) 

出 版 物:《湖南大学学报(自然科学版)》 (Journal of Hunan University:Natural Sciences)

年 卷 期:2012年第39卷第7期

页      码:49-53页

摘      要:提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1~10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入和输出的回波损耗均低于-8dB,最小噪声系数约为2.8dB,在电源电压为1.5V下功耗约为11.35mW.

主 题 词:低噪声放大器(LNA) 超宽带 平坦度 电流复用技术 

学科分类:11[军事学] 0810[工学-土木类] 1105[1105] 08[工学] 081002[081002] 110503[110503] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1674-2974.2012.07.009

馆 藏 号:203110981...

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