GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析

作     者：李娜 袁先漳 李宁 陆卫 李志峰 窦红飞 沈学础 金莉 李宏伟 周均铭 黄绮 Li Na;Yuan Xian-zhang;Li Ning;Lu Wei;Li Zhi-feng;Dou Hong-fei;Shen Xue-chu;Jin Li;Li Hong-wei;Zhou Jun-ming;Huang Yi

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院物理研究所北京100080 

基　　金：973项目!<光电功能晶体结构性能 分子设计 微结构设计与制备过程的研究>资助的课题&& 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2000年第49卷第4期

页      码：797-801页

摘      要：通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .

主 题 词：砷化镓 能级结构 光谱 量子阱 红外探测器 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.49.797

馆 藏 号：203111114...