0.3~8 GHz超十倍频程MMIC低噪声放大器设计

作     者：李佳伟 李斌 LI Jiawei;LI Bin

作者机构：中国科学院上海天文台上海200030 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家重点研发计划(2018YFA0404704) 国家自然科学基金(12073064) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2022年第41卷第4期

页      码：418-422页

摘      要：为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求,实现厘米波多波段同时观测,使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3~8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片。放大器电路采用三级级联放大结构,双电源供电,芯片尺寸为2000μm×1000μm。仿真结果显示,常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定。该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段,适用于厘米波段的超宽带接收机前端,并满足未来毫米波拓展中频带宽的需求。

主 题 词：低噪声放大器 三级级联 单片微波集成电路 超宽带 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1741

馆 藏 号：203111157...