基于F类和逆F类的双模式双频带功率放大器

作     者：杨飞 殷康 于洪喜 刘瑞竹 YANG Fei;YIN Kang;YU Hongxi;LIU Ruizhu

作者机构：中国空间技术研究院西安分院西安710100 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2022年第42卷第2期

页      码：86-92页

摘      要：应用氮化镓高电子迁移率晶体管设计并实现了一种基于F类和逆F类工作模式的双频段功率放大器。首先,分别讨论了F类和逆F类工作模式在理想晶体管和实际晶体管中的差异,结合动态负载线和电压电流波形,对实际晶体管功率和效率下降的原因作了深入分析。在此基础上,提出一种在双频段分别实现F类和逆F类工作模式的输出匹配电路。基于该匹配电路,仿真设计了一款双模式、双频带功率放大器,并进行了实物加工和性能测试。实测结果表明,在L和S频段200 MHz带宽范围内,功放输出功率分别大于41.3 dBm和41.2 dBm,漏极效率分别高于72%和69%,其峰值功率和效率在L频段为41.7 dBm和75.5%,在S频段为41.3 dBm和69.5%。实测和仿真结果吻合度高,证明了提出的设计方法的正确性和有效性。

主 题 词：F类 逆F类 双频带 功率放大器 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.02.003

馆 藏 号：203111229...