一种新型VDMOS器件结构的设计与实现

作     者：董子旭 王万礼 赵晓丽 张馨予 刘晓芳 DONG Zixu;WANG Wanli;ZHAO Xiaoli;ZHANG Xinyu;LIU Xiaofang

作者机构：天津工业大学电子与信息工程学院天津300384 天津环鑫科技发展有限公司天津300384 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2022年第20卷第4期

页      码：402-406页

摘      要：垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工作频率高以及热稳定性好等特点。提出一款60 V平面栅VDMOS器件的设计与制造方法,开发出一种新结构方案,通过减少一层终端层版图的光刻,将终端结构与有源区结构结合在一张光刻版上,并在终端工艺中设计了一种改善终端耐压的钝化结构,通过使用聚酰亚胺光刻胶(PI)钝化工艺代替传统的氮化硅钝化层。测试结果表明产品满足设计要求,以期为其他规格的芯片设计提供一种新的设计思路。

主 题 词：功率器件 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS) 终端结构 击穿电压 钝化工艺 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11805/TKYDA2020200

馆 藏 号：203111423...