X-切薄膜铌酸锂高效率光栅耦合器的设计

作     者：罗砚浓 蔡鑫伦 LUO Yannong;CAI Xinlun

作者机构：广西医科大学生命科学研究院生物医学光子学研究中心南宁530021 中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室广州510006 

基　　金：国家自然科学基金项目(11906041,11690031,11761131001) 国家重点研发项目(2019YFB1803900,2019YFA0705000) 广东省珠江人才计划项目(2017BT01X121) 广东省重点研发项目(2019B121204003,2018B030329001) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2022年第43卷第2期

页      码：280-284页

摘      要：基于X-切绝缘体上薄膜铌酸锂平台,提出并设计了一种高耦合效率的切趾一维光栅耦合器。采用非晶硅覆盖层材料,结合亚波长光子晶体等效方案和遗传算法增强光栅耦合效率。在中心波长1550 nm处,光栅的峰值耦合效率为-1.08 dB,通过引入底部金属反射镜可进一步提高至-0.53 dB,其1 dB带宽约为61 nm。

主 题 词：铌酸锂 光栅耦合器 非晶硅 高耦合效率 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2022030701

馆 藏 号：203111598...