垂直腔面发射激光器DBR的生长优化

作     者：许晓芳 邓军 李建军 张令宇 任凯兵 冯媛媛 贺鑫 宋钊 聂祥 XU Xiaofang;DENG Jun;LI Jianjun;ZHANG Lingyu;REN Kaibing;FENG Yuanyuan;HE Xin;SONG Zhao;NIE Xiang

作者机构：北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室北京100124 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2022年第43卷第2期

页      码：332-336页

摘      要：基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有效降低DBR串联电阻。实验采用Al_(0.22)Ga_(0.78)As/Al_(0.9)Ga_(0.1)As作为生长DBR的两种材料,设计了DBR各层厚度,研究了AlGaAs材料的最佳生长温度,利用MOCVD外延技术完成了795nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长。经过工艺制备,测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后的DBR电阻得到有效降低。

主 题 词：795 nm垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 串联电阻 渐变生长 MOCVD 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2021122904

馆 藏 号：203111633...