利用TCAD方法优化设计金属栅CMOS工艺及电路

作     者：赵野 孙伟锋 俞军军 苏巍 李艳军 Zhao Ye;Sun Weifeng;Yu Junjun;Su Wei;Li Yanjun

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 无锡华润上华半导体有限公司无锡214061 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2006年第36卷第4期

页      码：512-516页

摘      要：为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅CMOS工艺.首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MED ICI进行了校准,再对金属铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟,以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.实际测试阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,并将工艺开发和电路设计结合起来,用电路的性能验证了工艺.利用TCAD方法已成为集成电路和分立器件设计和制造的重要方法.

主 题 词：计算机辅助工艺设计 工艺模拟 金属栅CMOS工艺 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-0505.2006.04.004

馆 藏 号：203111650...