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EMCCD倍增增益老化分析与评价技术

EMCCD倍增增益老化分析与评价技术

作     者:李钦 吴琼瑶 伍明娟 林珑君 段大川 林雪梅 LI Qin;WU Qiongyao;WU Mingjuan;LIN Longjun;DUAN Dachuan;LIN Xuemei

作者机构:中国电子科技集团公司第四十四研究所重庆400060 

出 版 物:《电子产品可靠性与环境试验》 (Electronic Product Reliability and Environmental Testing)

年 卷 期:2022年第40卷第2期

页      码:36-39页

摘      要:微光成像技术在国防军事、科学研究等多方面有着不可替代的作用,已经成为各国竞相发展的战略高新技术。目前,空间用EMCCD芯片的设计与制造均由美国公司完全掌握,但美国政府对EMCCD技术进行严格的技术封锁和产品出口管制。而我国全天时相机对地观察等系统需要采用EMCCD,因此,急需针对国产化EMCCD开展倍增增益老化分析与评价。主要针对EMCCD的衰减特性,制定了3种不同的老化测试方法。通过对器件衰减曲线数据进行记录和分析,得出了器件在同一工作温度、不同和起始倍增倍数下,以及调节和不调节倍增电压情况下的衰减情况。为EMCCD在生产完成后能够快速地进入增益稳定期提供了一定的数据支撑,同时为其老化测试的方法提供了一定的指导。

主 题 词:电子倍增电荷耦合器件 微光成像 倍增增益老化 国产化 

学科分类:07[理学] 070104[070104] 0701[理学-数学类] 

D O I:10.3969/j.issn.1672-5468.2022.02.008

馆 藏 号:203111675...

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