基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计

作     者：王晓龙 WANG Xiaolong

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《现代信息科技》 (Modern Information Technology)

年 卷 期：2022年第6卷第1期

页      码：52-55页

摘      要：采用两只总栅宽100 mm的0.5μm工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络,实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管。在+36 V、-2 V工作电压下,1.14~1.26 GHz内,功率管输出功率≥600 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥55%,体积仅为33 mm×17 mm×2 mm,重量仅为3.5 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。

主 题 词：功率管 GaN 内匹配 L波段 大功率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.01.014

馆 藏 号：203111701...