近阈值宽电压设计方法学的问题与挑战

作     者：张舜 张科龙 王泽蓥 闫浩 ZHANG Shun;ZHANG Kelong;WANG Zeying;YAN Hao

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 

基　　金：国家重点研发计划(2018YFB2202702)项目资助 

出 版 物：《微纳电子与智能制造》 (Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing)

年 卷 期：2021年第3卷第2期

页      码：106-110页

摘      要：随着芯片工艺尺寸的缩小和集成度的提高,在移动设备、数据中心和物联网等领域,功耗成为设计的重点。面向低功耗的宽电压近阈值设计方法学被提出,同时宽电压技术在近阈值区域也遇到了性能损失、功耗泄露、工艺波动等问题。本文综述了近阈值宽电压技术发展中的概况和挑战以及未来发展的一些思考。

主 题 词：集成电路 宽电压 近阈值 设计方法学 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2021.02.106

馆 藏 号：203111717...