RCLED的制作工艺与性能研究

作     者：聂瑞芬 李建军 邹德恕 NIE Ruifen;LI Jianjun;ZOU Desu

作者机构：北京工业大学北京光电子技术实验室北京100124 

基　　金：北京市教育委员会科技计划面上项目(KM200810005002) 北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第4期

页      码：611-614页

摘      要：设计并用MOCVD在GaAs衬底上分别生长了以34对AlAs/Al0.5Ga0.5As材料为下DBR,6对(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P/AlInP材料为上DBR,以及有源区为3个GaInP/(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P量子阱的外延片。设计了以SiO2做阻挡层,并且深腐蚀过有源区的台形RCLED的工艺结构,利用光刻、腐蚀、等离子化学气相沉淀(PECVD)以及溅射等工艺,成功制备了波长为650nm的谐振腔发光二极管(RCLED),并对其性能进行了测试。通过与普通LED相比较发现,RCLED不仅具备更强的轴向光强和更高的提取效率,而且具有更窄的光谱线宽、更小的发散角、更好的发射方向性,利于与塑料光纤进行耦合。

主 题 词：发光二极管 谐振腔 分布式布拉格反射镜 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2010.04.029

馆 藏 号：203111813...