Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成非倒易性研究

作     者：周胜 王选章 付淑芳 励强华 曲秀荣 梁爽 张强 

作者机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料省部共建教育部重点实验室哈尔滨150025 南京大学物理学院物理系南京210093 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11074061 11104050) 黑龙江省自然科学基金(批准号:A200910) 黑龙江省教育厅青年学术骨干项目(批准号:1251G030) 哈尔滨师范大学省级预研项目(批准号:09XYS-01) 哈尔滨市青年科技创新人才项目(批准号:RC2011QN001011) 哈尔滨师范大学博士科研启动基金(批准号:KJB201113) 黑龙江教育厅科技项目(批准号:12521154)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2012年第61卷第18期

页      码：476-483页

摘      要：利用非线性传递矩阵方法研究了Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成的非倒易性.研究发现外加静磁场反向和电介质层排序翻转均对二次谐波输出产生影响,出现了二次谐波生成的非倒易性.二次谐波生成非倒易性频率区域在反铁磁共振区,此区间正处于THz频段.随着入射角度的增加,非倒易性的效果越来越明显.研究二次谐波生成的非倒易性,可为反铁磁器件的设计加工提供理论支持.

主 题 词：反铁磁层,二次谐波,非倒易性 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203111902...