2.9～10.6GHz CMOS两级分布式放大器

作     者：王兴华 李宵 李通 张蕾 张芊 仲顺安 WANG Xing-hua;LI Xiao;LI Tong;ZHANG Lei;ZHANG Qian;ZHONG Shun-an

作者机构：北京理工大学信息与电子学院北京100081 

基　　金：国家"九七三"计划项目(2011CB933202) 国家教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20101101110018) 

出 版 物：《北京理工大学学报》 (Transactions of Beijing Institute of Technology)

年 卷 期：2013年第33卷第7期

页      码：729-731,740页

摘      要：研究应用于超宽带无线通信系统中的宽带分布式放大器设计方法.采用电感替代传输线对晶体管寄生电容进行补偿的方法实现带宽拓展.分布式放大器既能扩大其带宽,又能保持较低的噪声系数.该设计采用TSMC公司的RF 0.18μm CMOS工艺,电源电压为1.8V,功耗为104mW.仿真结果表明提出的分布式放大器在2.9～10.6GHz的频带内S21保持(18.7±0.9)dB的平坦增益,噪声系数最小值NF=1.80dB.

主 题 词：分布式放大器 超宽带 低噪声 CMOS工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0645.2013.07.014

馆 藏 号：203111942...