一维碳纳米管/二维二硫化钼混合维度异质结的原位制备及其电荷转移性能

作     者：邹菁云 高冰 张小品 唐磊 冯思敏 金赫华 刘碧录 成会明 Jingyun Zou;Bing Gao;Xiaopin Zhang;Lei Tang;Simin Feng;Hehua Jin;Bilu Liu;Hui-Ming Cheng

作者机构：清华大学清华伯克利-深圳学院&清华大学深圳国际研究生院深圳盖姆石墨烯中心广东深圳518055 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州215123 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室沈阳110016 

基　　金：国家自然科学基金(51991340,51991343,51722206) 深圳市工业和信息化局石墨烯制造业创新中心(201901171523)资助项目 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2022年第38卷第5期

页      码：97-104页

摘      要：一维(1D)材料与二维(2D)材料的结合可形成独特的混合维度异质结,其在继承2D/2D范德瓦尔斯异质结的独特物性之外,还具有丰富的堆叠构型,为进一步调控异质结的结构及性能提供了新的可操控自由度。p型1D单壁碳纳米管(SWCNT)与n型2D二硫化钼(MoS_(2))的结合,为调控异质结的能带结构及器件性能提供了丰富的选择。本文直接在高密度、手性窄分布的SWCNT定向阵列及无序薄膜表面原位生长MoS_(2),制备出高质量1D SWCNT/2D MoS_(2)混合维度异质结。深入分析形核点的表面形貌与结构,提出了“吸附-扩散-吸附”生长机制,用于解释混合维度异质结的生长。利用拉曼光谱分析,证实SWCNT与MoS_(2)间存在显著的电荷转移作用,载流子可在界面处快速传输,为后续基于此类1D/2D异质结的新型电子及光电器件的设计与制备提供了新思路。

主 题 词：单壁碳纳米管 二硫化钼 维度 异质结 电荷转移 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 070304[070304] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3866/PKU.WHXB202008037

馆 藏 号：203109045...