1.25μm近红外场助光阴极材料InGaAsP/InP的液相外延

作     者：王存让 李晋闽 郭里辉 侯洵 李相民 张工力 高鸿楷 

作者机构：中国科学院西安光学精密机械研究所710068 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：1992年第21卷第4期

页      码：337-342页

摘      要：本文简要阐述了近红外场助光阴极的原理及对外延材料的要求。利用液相外延工艺并采用独特的掺杂技术生长出了用于近红外光电阴极的InP/InGaAsP 异质结结构。显微分析。x射线双晶衍射、电子探针、电化学C-V等测试结果表明外延层的结晶质量及电学性能符合设计的特殊要求,在此基础上制作的场助光电阴极量子效率在1.20μm处为3.5×10^(-4),其响应波长可达1.25μm。

主 题 词：液相外延生长 光阴极 半导体材料 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203112090...