先进技术中PMOS镶嵌式源漏锗硅外延工艺的设计

作     者：周利民 陈勇跃 ZHOU Limin;CHEN Yongyue

作者机构：上海华力集成电路制造有限公司上海201203 

基　　金：上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204) 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2022年第39卷第5期

页      码：17-19页

摘      要：基于FinFET平台,阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化,通过开发出循环式外延锗硅工艺,对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效进行改善,消除掩膜层上生长的附着颗粒。透射电子显微镜下观察整个外延层,特征尺寸达到要求,沟槽内的填充饱满,能有效降低源漏区的接触电阻,从而使三维FinFET器件的性能得到提升。

主 题 词：集成电路制造 外延工艺 掩膜层 FinFET 

学科分类：1305[艺术学-设计学类] 080904[080904] 0810[工学-土木类] 13[艺术学] 0809[工学-计算机类] 081104[081104] 08[工学] 0804[工学-材料学] 080402[080402] 081001[081001] 081101[081101] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.05.005

馆 藏 号：203112183...