用于芯片电容精确测量的在片开路方法研究

作     者：李灏 乔玉娥 丁晨 丁立强 刘霞美 吴爱华 LI Hao;QIAO Yu-e;DING Chen;DING Li-qiang;LIU Xia-mei;WU Ai-hua

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《计量学报》 (Acta Metrologica Sinica)

年 卷 期：2022年第43卷第5期

页      码：657-661页

摘      要：为实现芯片电容参数测量过程中的有效开路,提高在片电容测量的准确性及一致性,针对在片电容开路方法开展了研究工作。通过对标准电容器及开路器原理结构进行分析,结合半导体芯片工艺测试实际需求,设计并制作了在片开路器。在完成在片电容测试系统搭建基础上,分别利用传统悬空开路法和在片开路法对1 pF量值的在片电容进行了测量。实验数据显示,同悬空开路法相比,在片开路法电容测量结果的准确性及一致性有显著提升,测量重复性可达0.01%,为芯片电容计量测试工作提供了有效开路手段。

主 题 词：计量学 片上电容测量 开路器 标准电容 芯片测试 

学科分类：08[工学] 080402[080402] 0804[工学-材料学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-1158.2022.05.15

馆 藏 号：203112273...