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低频低噪声放大器的屏蔽设计

低频低噪声放大器的屏蔽设计

作     者:尹亚兰 武斌 

作者机构:海军工程大学南京分校江苏省南京市211800 海军工程大学湖北省武汉市430033 

出 版 物:《电子工程师》 (Electronic Engineer)

年 卷 期:2004年第30卷第4期

页      码:41-43页

摘      要:在简要介绍噪声及干扰的基础上 ,详细分析了屏蔽的基本原理 ,进而提出一种多层屏蔽设计方法。在该测试系统中 ,选用 6层屏蔽盒 ,屏蔽盒材料由外到内分别是铜和铁。实验测试表明 ,该方法抗干扰能力强 。

主 题 词:低频放大器 低噪声放大器 电磁干扰 电场屏蔽 磁场屏蔽 

学科分类:080904[080904] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1674-4888.2004.04.015

馆 藏 号:203112477...

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