一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固设计与试验评估

作     者：许振龙 伍攀峰 李杰 王明贺 XU Zhenlong;WU Panfeng;LI Jie;WANG Minghe

作者机构：山东航天电子技术研究所烟台264003 

基　　金：装备预研专用技术项目(编号:31512020104-3) 装备预研抗辐射加固项目(编号:41424XXXXX) 中国空间技术研究院杰出青年基金项目(编号:2021-399) 

出 版 物：《航天器环境工程》 (Spacecraft Environment Engineering)

年 卷 期：2022年第39卷第3期

页      码：248-254页

摘      要：总剂量效应是制约COTS器件空间应用的主要因素之一。为满足空间应用对电子系统高性能、小型化及抗辐射的需求,对一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固方案进行设计,采用模型分析与地面试验结合的方法对微系统的抗总剂量辐射能力进行评估。该评估方法将微系统作为设备与器件的一种结合体,先按照设备进行整体模型评估,后按照器件进行试验评估,提高了评估的效率,具有较强的工程实用价值。^(60)Co γ射线辐照试验结果表明:加固后SiP微系统的抗总剂量能力不低于150 krad(Si),可以满足相关任务应用需要。该微系统的抗总剂量效应加固设计和总剂量效应评估方法可为相关微系统研制提供参考。

主 题 词：SiP微系统 总剂量效应 抗辐射加固 屏蔽模型 辐照试验 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 082504[082504] 0825[工学-环境科学与工程类] 

D　O　I：10.12126/see.2022.03.005

馆 藏 号：203112481...