铜合金自形成阻挡层制备及其性能研究

作     者：王晓铖 曹菲 南泽昊 WANG Xiaocheng;CAO Fei;NAN Zehao

作者机构：杭州电子科技大学电子信息学院浙江杭州310018 

基　　金：国家自然科学基金项目(61904045) 

出 版 物：《应用科技》 (Applied Science and Technology)

年 卷 期：2022年第49卷第3期

页      码：44-49页

摘      要：随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金薄膜制备参数的优化设计。通过体系界面特性和电学特性的分析得出,溅射气压、溅射功率和靶基距这3个制备参数的变化对铜合金薄膜性质及合金体系的阻挡性能均有明显的影响。且当溅射气压为0.5 Pa、溅射功率为90 W、靶基距为60 mm时,制备的铜钒合金薄膜经退火后会自形成最优阻挡层。

主 题 词：微电子器件 互连 阻挡层 漏电电流 电阻率 直流磁控溅射技术 铜合金薄膜 自形成 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11991/yykj.202106015

馆 藏 号：203112670...