X波段小型封装GaN功率放大器设计

作     者：崔朝探 陈政 杜鹏搏 焦雪龙 曲韩宾 CUI Zhaotan;CHEN Zheng;DU Pengbo;JIAO Xuelong;QU Hanbin

作者机构：河北新华北集成电路有限公司石家庄050200 河北省卫星通信射频技术创新中心石家庄050200 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2022年第22卷第6期

页      码：33-38页

摘      要：基于GaN功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一款X波段小型管壳封装的功率放大器。通过合理排布电路结构,实现了封装尺寸的小型化。由于器件功率密度不断提升,散热问题不容忽视,通过对不同材料的管壳底座进行热仿真分析,模拟芯片的温度分布,根据仿真结果选定底座材料为钼铜Mo70Cu30,利用红外热成像仪测试芯片结温为107.83℃,满足I级降额要求。最终设计的功率放大器尺寸为18.03 mm×8.70 mm×3.03 mm,在28 V工作电压脉冲测试条件下,9.3~9.5 GHz频带内饱和输出功率大于46 d Bm,功率附加效率大于36%,功率增益大于24.5 d B,电性能测试结果全部满足技术指标要求。

主 题 词：GaN功率放大器 小型封装 热仿真分析 电性能测试 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0608

馆 藏 号：203112945...