提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

作     者：谢爱根 裴元吉 王荣 孙红兵 XIE Ai-gen;PEI Yuan-ji;WANG Rong;SUN Hong-bing

作者机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室安徽合肥230029 

基　　金：国家创新工程资助课题 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2005年第17卷第2期

页      码：279-282页

摘      要：介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。

主 题 词：二次电子发射系数 负电子亲和势 二次电子发射材料 逸出深度 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 080102[080102] 0801[工学-力学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203113144...